SQ2364EES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQ2364EES-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-