SISS12DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호	SISS12DN-T1-GE3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	37.5A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.98 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	89nC @ 10V
Vgs (최대)	+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4270pF @ 20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스	PowerPAK® 1212-8S
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SISS10ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212	세부
SISS10DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S	세부
SISS12DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-	세부