SISS12DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SISS12DN-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	37.5A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.98 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4270pF @ 20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8S
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SISS10ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212	Einzelheiten
SISS10DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S	Einzelheiten
SISS12DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-	Einzelheiten