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SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SISS12DN-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SISS12DN-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 297470 pcs
参考価格: USD 0.5535/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SISS12DN-T1-GE3 詳細な説明

品番	SISS12DN-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	37.5A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.98 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	89nC @ 10V
Vgs（最大）	+20V, -16V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4270pF @ 20V
FET機能	-
消費電力（最大）	5W (Ta), 65.7W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース	PowerPAK® 1212-8S
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
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	SISS10DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S	詳細
	SISS12DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-	詳細