| 부품 번호 | SIS888DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 150V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.2V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 420pF @ 75V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 52W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 10A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8S |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SIS888DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S | 세부 |
