SIS888DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS888DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 7500 pcs
Precio de referencia: USD 0.7277/pcs
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Número de pieza	SIS888DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 75V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8S
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIS888DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S	Detalles