SIS888DN-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SIS888DN-T1-GE3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
150V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
20.2A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
7.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
14.5nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
420pF @ 75V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
52W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
58 mOhm @ 10A, 10V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TA) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paquet / cas |
PowerPAK® 1212-8S |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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