| 부품 번호 | DG636EEQ-T1-GE4 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 스위치 회로 | SPDT |
| 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 | 2:1 |
| 회로 수 | 2 |
| 온 스테이트 저항 (최대) | 96 Ohm |
| 채널 대 채널 매칭 (& Delta; Ron) | 2 Ohm |
| 전압 - 공급, 단일 (V +) | 3V ~ 16V |
| 전압 - 공급, 이중 (V ±) | ±3V ~ 8V |
| 스위치 시간 (Ton, Toff) (최대) | 56ns, 61ns |
| -3dB 대역폭 | 700MHz |
| 충전 주입 | -0.33pC |
| 채널 커패시턴스 (CS (꺼짐), CD (꺼짐)) | 3.7pF, 4.4pF |
| 전류 - 누설 (IS (off)) (최대) | 500pA |
| 누화 | -62dB @ 10MHz |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 패키지 / 케이스 | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 14-TSSOP |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
DG636 | VISHAY | 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch | 세부 |
 |
DG636EEN-T1-GE4 | Vishay Siliconix | IC ANALOG SWITCH 16MINIQFN | 세부 |
|
DG636EEQ-T1-GE4 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP | 세부 |
|
DG636EN-T1-E4 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN | 세부 |
|
DG636EQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP | 세부 |
