| 品番 | DG636EEQ-T1-GE4 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| スイッチ回路 | SPDT |
| マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路 | 2:1 |
| 回路数 | 2 |
| オン抵抗（最大） | 96 Ohm |
| チャネル間マッチング（ΔRon） | 2 Ohm |
| 電圧 - 供給、シングル（V +） | 3V ~ 16V |
| 電圧 - 電源、デュアル（V±） | ±3V ~ 8V |
| スイッチ時間（Ton、Toff）（最大） | 56ns, 61ns |
| -3dbの帯域幅 | 700MHz |
| 電荷注入 | -0.33pC |
| チャネル容量（CS（オフ）、CD（オフ）） | 3.7pF, 4.4pF |
| 電流 - 漏れ（IS（オフ））（最大） | 500pA |
| クロストーク | -62dB @ 10MHz |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| パッケージ/ケース | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-TSSOP |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DG636 | VISHAY | 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch | 詳細 |
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DG636EN-T1-E4 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN | 詳細 |
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DG636EQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP | 詳細 |
