| 부품 번호 | DG636EN-T1-E4 |
|---|---|
| 부품 상태 | Last Time Buy |
| 스위치 회로 | SPDT |
| 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 | 2:1 |
| 회로 수 | 2 |
| 온 스테이트 저항 (최대) | 115 Ohm |
| 채널 대 채널 매칭 (& Delta; Ron) | 1 Ohm |
| 전압 - 공급, 단일 (V +) | 2.7 V ~ 12 V |
| 전압 - 공급, 이중 (V ±) | ±2.7 V ~ 5 V |
| 스위치 시간 (Ton, Toff) (최대) | 60ns, 52ns |
| -3dB 대역폭 | 610MHz |
| 충전 주입 | 0.1pC |
| 채널 커패시턴스 (CS (꺼짐), CD (꺼짐)) | 2.1pF, 4.2pF |
| 전류 - 누설 (IS (off)) (최대) | 100pA |
| 누화 | -88dB @ 10MHz |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 패키지 / 케이스 | 16-WFQFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DG636 | VISHAY | 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch | 세부 |
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DG636EEN-T1-GE4 | Vishay Siliconix | IC ANALOG SWITCH 16MINIQFN | 세부 |
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DG636EEQ-T1-GE4 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP | 세부 |
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DG636EN-T1-E4 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN | 세부 |
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DG636EQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP | 세부 |
