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TPW4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호: TPW4R008NH,L1Q
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: TPW4R008NH,L1Q PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 12500 pcs
참고 가격: USD 0.8366/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

TPW4R008NH,L1Q 상세 설명

부품 번호	TPW4R008NH,L1Q
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	116A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	59nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	5300pF @ 40V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 50A, 10V
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	8-DSOP Advance
패키지 / 케이스	8-PowerWDFN
무게	-
원산지	-

관련 제품 TPW4R008NH,L1Q

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	TPW4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP	세부
	TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP	세부