TPW4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TPW4R008NH,L1Q
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	116A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5300pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TPW4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP	Dettagli
	TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP	Dettagli