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TK35N65W,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호: TK35N65W,S1F
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: TK35N65W,S1F PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 225 pcs
참고 가격: USD 7.87/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

TK35N65W,S1F 상세 설명

부품 번호	TK35N65W,S1F
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	3.5V @ 2.1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4100pF @ 300V
Vgs (최대)	±30V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	270W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 17.5A, 10V
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247
패키지 / 케이스	TO-247-3
무게	-
원산지	-

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영상	부품 번호	제조사	기술	전망
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