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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › TK35N65W,S1F
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK35N65W,S1F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TK35N65W,S1F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
225 pcs
Prezzo di riferimento
USD 7.87/pcs
Il nostro prezzo
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TK35N65W,S1F Descrizione dettagliata

Numero di parte TK35N65W,S1F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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