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RN1910FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호: RN1910FE,LF(CT
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: RN1910FE,LF(CT PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 10000 pcs
참고 가격: USD 0.0483/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

RN1910FE,LF(CT 상세 설명

부품 번호	RN1910FE,LF(CT
부품 상태	Active
트랜지스터 유형	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V
저항기 -베이스 (R1) (옴)	4.7k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴)	-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)	100nA (ICBO)
빈도 - 전환	250MHz
전력 - 최대	100mW
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지	ES6
무게	-
원산지	-

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영상	부품 번호	제조사	기술	전망
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