RN1910FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: RN1910FE,LF(CT
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 10000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0483/pcs
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Número de pieza	RN1910FE,LF(CT
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	4.7k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	-
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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