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RN1910FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: RN1910FE,LF(CT
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: RN1910FE,LF(CT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 10000 pcs
参考価格: USD 0.0483/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

RN1910FE,LF(CT 詳細な説明

品番	RN1910FE,LF(CT
部品ステータス	Active
トランジスタタイプ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム）	4.7k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム）	-
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移	250MHz
電力 - 最大	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SOT-563, SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
重量	-
原産国	-

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