| 부품 번호 | 2SC6076(TE16L1,NV) |
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| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 3A |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 80V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 1µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
| 전력 - 최대 | 10W |
| 빈도 - 전환 | 150MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급 업체 장치 패키지 | PW-MOLD |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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2SC607 | EXSHINE | PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | 세부 |
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2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN 80V 3A PW MOLD | 세부 |
