| 品番 | 2SC6076(TE16L1,NV) |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 3A |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 80V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1µA (ICBO) |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 180 @ 500mA, 2V |
| 電力 - 最大 | 10W |
| 周波数 - 遷移 | 150MHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PW-MOLD |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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2SC607 | EXSHINE | PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | 詳細 |
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2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN 80V 3A PW MOLD | 詳細 |
