2SC6076(TE16L1,NV) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SC6076(TE16L1,NV)
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	3A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 500mA, 2V
Puissance - Max	10W
Fréquence - Transition	150MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur	PW-MOLD
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	2SC607	EXSHINE	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR	Détails
	2SC6076(TE16L1,NV)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 80V 3A PW MOLD	Détails