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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 › 2SA965-Y(F,M)
2SA965-Y(F,M)

2SA965-Y(F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
2SA965-Y(F,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
2SA965-Y(F,M) PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
2SA965-Y(F,M).pdf
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3563 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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2SA965-Y(F,M) 상세 설명

부품 번호 2SA965-Y(F,M)
부품 상태 Last Time Buy
트랜지스터 유형 PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 800mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 120V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
전력 - 최대 900mW
빈도 - 전환 120MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급 업체 장치 패키지 LSTM
무게 -
원산지 -

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