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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SA965-Y(F,M)
2SA965-Y(F,M)

2SA965-Y(F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA965-Y(F,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SA965-Y(F,M) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SA965-Y(F,M).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4110 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SA965-Y(F,M) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA965-Y(F,M)
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Leistung max 900mW
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket LSTM
Gewicht -
Ursprungsland -

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