| 부품 번호 | BSM180D12P2C101 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 1130W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | Module |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P2E202 | Rohm Semiconductor | BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO | 세부 |
|
BSM180D12P2C101 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 세부 |
|
BSM180D12P3C007 | Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | 세부 |
 |
BSM181 | EUPEC | BSM181 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks | 세부 |
