BSM180D12P2C101 - Rohm Semiconductor

Número de pieza: BSM180D12P2C101
Fabricante: Rohm Semiconductor
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 85 pcs
Precio de referencia: USD 434.97/pcs
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Número de pieza	BSM180D12P2C101
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 10V
Potencia - Max	1130W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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