BSM180D12P2C101 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
BSM180D12P2C101 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET |
Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
180A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
- |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 35.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
23000pF @ 10V |
| Potenza - Max |
1130W |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
- |
| Pacchetto / caso |
Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
Module |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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