| 부품 번호 | APTDC902U601G |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 다이오드 구성 | 2 Independent |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류 - 평균 정류 된 (Io) (다이오드 당) | 90A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.8V @ 90A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 0ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 1800µA @ 600V |
| 작동 온도 - 정션 | -40°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SP1 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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APTDC10H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | 세부 |
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APTDC20H1201G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | 세부 |
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APTDC20H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | 세부 |
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APTDC40H1201G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | 세부 |
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APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | 세부 |
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APTDC902U601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | 세부 |
