| 品番 | APTDC902U601G |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| ダイオード構成 | 2 Independent |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 90A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.8V @ 90A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 1800µA @ 600V |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTDC10H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | 詳細 |
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APTDC20H1201G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | 詳細 |
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APTDC20H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | 詳細 |
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APTDC40H1201G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | 詳細 |
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APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | 詳細 |
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APTDC902U601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | 詳細 |
