| 부품 번호 | APT45GR65BSCD10 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | NPT |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 118A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 224A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| 전력 - 최대 | 543W |
| 스위칭 에너지 | - |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 203nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 15ns/100ns |
| 시험 조건 | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | 80ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | 세부 |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | 세부 |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | 세부 |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | 세부 |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | 세부 |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | 세부 |
