| 品番 | APT45GR65BSCD10 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 650V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 118A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 224A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| 電力 - 最大 | 543W |
| スイッチングエネルギー | - |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 203nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 15ns/100ns |
| テスト条件 | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | 80ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | 詳細 |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | 詳細 |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | 詳細 |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | 詳細 |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | 詳細 |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | 詳細 |
