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APT45GR65B - Microsemi Corporation

부품 번호: APT45GR65B
제조사: Microsemi Corporation
간단한 설명: IGBT 650V 92A 357W TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: APT45GR65B PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 155 pcs
참고 가격: USD 6.75/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

APT45GR65B 상세 설명

부품 번호	APT45GR65B
부품 상태	Active
IGBT 형	NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	92A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)	168A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 45A
전력 - 최대	357W
스위칭 에너지	900µJ (on), 580µJ (off)
입력 유형	Standard
게이트 차지	203nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C	15ns/100ns
시험 조건	433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)	-
작동 온도	-
실장 형	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
공급 업체 장치 패키지	TO-247
무게	-
원산지	-

관련 제품 APT45GR65B

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	세부
	APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	세부
	APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	세부
	APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	세부
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	APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	세부
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	APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	세부
	APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	세부
	APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	세부