| 부품 번호 | DD800S17H4B2BOSA2 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 구성 | 2 Independent |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 1700V |
| 전류 - 평균 정류 된 (Io) (다이오드 당) | - |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.1V @ 800A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 900A @ 900V |
| 작동 온도 - 정션 | -40°C ~ 150°C |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | AG-IHMB130-1 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DD800S17H4B2BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 800A | 세부 |
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DD800S17K3_B2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 800A | 세부 |
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DD800S33K2CNOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 800A | 세부 |
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DD800S45KL3B5NPSA1 | Infineon Technologies | MOD IGBT 1800V IHV130-4 | 세부 |
