DD800S17H4B2BOSA2

DD800S17H4B2BOSA2 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DD800S17H4B2BOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
195 pcs
Referenzpreis
USD 839.2/pcs
Unser Preis
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DD800S17H4B2BOSA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DD800S17H4B2BOSA2
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 2 Independent
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 800A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 900A @ 900V
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket AG-IHMB130-1
Gewicht -
Ursprungsland -

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