DD800S17H4B2BOSA2 - Infineon Technologies

Número de pieza: DD800S17H4B2BOSA2
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Diodos - Rectificadores - Arreglos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 195 pcs
Precio de referencia: USD 839.2/pcs
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Número de pieza	DD800S17H4B2BOSA2
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	2 Independent
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	1700V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	-
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	2.1V @ 800A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	900A @ 900V
Temperatura de funcionamiento - unión	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	AG-IHMB130-1
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DD800S17H4B2BOSA2	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1700V 800A	Detalles
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