EPC2103ENG

EPC2103ENG - EPC

부품 번호
EPC2103ENG
제조사
EPC
간단한 설명
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4031 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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EPC2103ENG 상세 설명

부품 번호 EPC2103ENG
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 7mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 40V
전력 - 최대 -
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 Die
공급 업체 장치 패키지 Die
무게 -
원산지 -

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