| Numero di parte | EPC2103ENG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
.jpg "EPC2001") |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | Dettagli |
.jpg "EPC2007") |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Dettagli |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Dettagli |
