| 부품 번호 | NMSD200B01-7 |
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| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | Schottky Diode (Isolated) |
| 전력 발산 (최대) | 200mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 5V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-363 |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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NMSD200B01 | DIODES | 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE | 세부 |
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NMSD200B01-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 | 세부 |
