NMSD200B01-7 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
NMSD200B01-7 |
| Stato parte |
Obsolete |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
50pF @ 25V |
| Vgs (massimo) |
±20V |
| Caratteristica FET |
Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) |
200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
3 Ohm @ 50mA, 5V |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
SOT-363 |
| Pacchetto / caso |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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