| 品番 | NMSD200B01-7 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 200mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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NMSD200B01 | DIODES | 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE | 詳細 |
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NMSD200B01-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 | 詳細 |
