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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 › DMN53D0LDW-13
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13 - Diodes Incorporated

부품 번호
DMN53D0LDW-13
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
DMN53D0LDW-13 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
450710 pcs
참고 가격
USD 0.0563/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

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DMN53D0LDW-13 상세 설명

부품 번호 DMN53D0LDW-13
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 50V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 360mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 46pF @ 25V
전력 - 최대 310mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 SOT-363
무게 -
원산지 -

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