DMN53D0LDW-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN53D0LDW-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.0563/pcs
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Número de pieza	DMN53D0LDW-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 25V
Potencia - Max	310mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-363
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN53D0L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	Detalles
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DMN53D0LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	Detalles
DMN53D0LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	Detalles
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