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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMN53D0LDW-13
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN53D0LDW-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN53D0LDW-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
456882 pcs
参考価格
USD 0.0563/pcs
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DMN53D0LDW-13 詳細な説明

品番 DMN53D0LDW-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 50V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 360mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 46pF @ 25V
電力 - 最大 310mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
重量 -
原産国 -

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