부품 번호 | C3M0120090J |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 900V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 3mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 600V |
Vgs (최대) | +18V, -8V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 83W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | D2PAK-7 |
패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
무게 | - |
원산지 | - |