대한민국
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR - Alliance Memory, Inc.

부품 번호: AS4C32M16MSA-6BINTR
제조사: Alliance Memory, Inc.
간단한 설명: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: AS4C32M16MSA-6BINTR PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 메모리
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 41660 pcs
참고 가격: USD 4.39425/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

AS4C32M16MSA-6BINTR 상세 설명

부품 번호	AS4C32M16MSA-6BINTR
부품 상태	Active
메모리 유형	Volatile
메모리 형식	DRAM
과학 기술	SDRAM - Mobile SDRAM
메모리 크기	512Mb (32M x 16)
클럭 주파수	166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	-
액세스 시간	5.5ns
메모리 인터페이스	Parallel
전압 - 공급	1.7V ~ 1.95V
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	54-VFBGA
공급 업체 장치 패키지	54-FBGA (8x8)
무게	-
원산지	-

관련 제품 AS4C32M16MSA-6BINTR

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	세부
	AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	세부
	AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	세부
	AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	세부
	AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	세부
	AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	세부