AS4C32M16MSA-6BINTR - Alliance Memory, Inc.

Número de pieza: AS4C32M16MSA-6BINTR
Fabricante: Alliance Memory, Inc.
Breve descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 41660 pcs
Precio de referencia: USD 4.39425/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	AS4C32M16MSA-6BINTR
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - Mobile SDRAM
Tamaño de la memoria	512Mb (32M x 16)
Frecuencia de reloj	166MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	5.5ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	54-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	54-FBGA (8x8)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Detalles
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Detalles
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Detalles
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Detalles
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Detalles
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AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Detalles
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AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Detalles
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Detalles