AS4C32M16MSA-6BINTR - Alliance Memory, Inc.

Numero di parte: AS4C32M16MSA-6BINTR
fabbricante: Alliance Memory, Inc.
Breve descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: AS4C32M16MSA-6BINTR Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Memoria
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 41660 pcs
Prezzo di riferimento: USD 4.39425/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

Numero di parte	AS4C32M16MSA-6BINTR
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - Mobile SDRAM
Dimensione della memoria	512Mb (32M x 16)
Frequenza di clock	166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	5.5ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	54-FBGA (8x8)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Dettagli
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Dettagli