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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-GB75DA120UP
VS-GB75DA120UP

VS-GB75DA120UP - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-GB75DA120UP
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
MODULE IGBT SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-GB75DA120UP PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
VS-GB75DA120UP.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3591 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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VS-GB75DA120UP 詳細な説明

品番 VS-GB75DA120UP
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ NPT
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） -
電力 - 最大 658W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3.8V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce -
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227
重量 -
原産国 -

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