| 品番 | SUP40P10-43-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 160nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4600pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 43 mOhm @ 10A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SUP40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | 詳細 |
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SUP40012EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO-220 | 詳細 |
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SUP40N06-25L | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level | 詳細 |
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SUP40N10-30-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB | 詳細 |
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SUP40N10-30-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB | 詳細 |
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SUP40N10-35 | VISHAY | N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET | 詳細 |
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SUP40N10-35-E3 | VISHAY | N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET | 詳細 |
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SUP40N25-60 | VISHAY | N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET | 詳細 |
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SUP40N25-60-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB | 詳細 |
