| Numero di parte | SUP40P10-43-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SUP40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | Dettagli |
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SUP40012EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO-220 | Dettagli |
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SUP40N06-25L | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level | Dettagli |
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SUP40N10-30 | VISHAY | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | Dettagli |
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SUP40N10-30-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB | Dettagli |
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SUP40N10-30-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB | Dettagli |
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SUP40N10-35 | VISHAY | N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET | Dettagli |
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SUP40N10-35-E3 | VISHAY | N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET | Dettagli |
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SUP40N25-60 | VISHAY | N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET | Dettagli |
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SUP40N25-60-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB | Dettagli |
