| Artikelnummer | SUP40P10-43-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SUP40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | Einzelheiten |
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SUP40N10-35-E3 | VISHAY | N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET | Einzelheiten |
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SUP40N25-60-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB | Einzelheiten |
