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SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3 - Vishay Siliconix

品番: SQM120N02-1M3L_GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 20V 120A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SQM120N02-1M3L_GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 99787 pcs
参考価格: USD 1.65/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SQM120N02-1M3L_GE3 詳細な説明

品番	SQM120N02-1M3L_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	290nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	14500pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	375W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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